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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) F16K
管理番号 1048629
審判番号 審判1999-16849  
総通号数 24 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 実用新案審決公報 
発行日 2001-12-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 1999-10-13 
確定日 2001-10-12 
事件の表示 平成 5年実用新案登録願第 12448号「半導体製造装置用流体制御器」拒絶査定に対する審判事件[平成 6年10月 7日出願公開、実開平 6- 71979]について、次のとおり審決する。   
結論 本件審判の請求は、成り立たない。
理由 1.手続の経緯・本願考案
本願は、平成5年3月19日の出願であって、本願の請求項1に係る考案は、平成10年4月8日付けと平成13年6月25日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その実用新案登録請求の範囲の請求項1に記載された次のとおりのものと認める(以下「本願考案」という。)。
「縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状のバルブボディ(1)の両上部傾斜面(1d)・(1d)に、底面(1a)に対する垂直線(T)に対して略40°以下の開き角度をもってU字状に導入用制御弁(2)と排出用制御弁(3)とを固設すると共に、ガス通路(15)により両制御弁(2),(3)の弁室(11),(11)間を連通し、更に前記バルブボディ(1)の両短辺側側面(1b)に導入用制御弁(2)の弁室(11)に連通するガス導入口(4)と排出用制御弁(3)の弁室(11)に連通するガス排出口(5a)を、また片側の長辺側側面(1c)に前記ガス通路(15)に連通するガス排出口(5b)を夫々形成して成る自動流体制御器に於いて、前記両制御弁(2)・(3)の弁機構(7)をバルブボディ(1)に穿設した弁取付孔(14)と、弁取付孔(14)の底面に形成した弁座(9)と、弁座(9)に近接してこれと対向状に配設されて弁取付孔(14)の底面との間に隙間状の狭い弁室(11)を形成し、上方から押圧されることにより弁座(9)へ接当してガス通路(15)を閉鎖すると共に、前記上方からの押圧が無くなると弾性反力により弁座(9)から離れてガス通路(15)を開放する断面が弧状で中央部が上方へ彎曲膨出した金属薄板製のタイヤフラム(12)と、ダイヤフラム(12)の上方へ挿入され、その外周縁を押圧密封するガイド筒(16)と、ダイヤフラム(12)の上方に配設され、当該ダイヤフラム(12)を押圧するステム(17)と、バルブボディ(1)へ螺着されて前記ガイド筒(16)を押圧する袋ナット(18)とから形成したことを特徴とする半導体製造装置用流体制御器。」

2.引用刊行物及びその記載事項
これに対して、当審における平成13年4月17日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前である平成2年4月6日に日本国内において頒布された特公平2-14090号公報(以下、第1引用例という。)には、超高純度ガス混合装置の混合弁に関して、以下の点が記載されている。
a)「・・・本発明の目的は、所望混合ガス以外の不純物が滞留するようなデッドスペースの除去、または極小化を図り、きわめて純度の高い混合ガスが得られるようにした高純度ガス混合装置を提供しようとするものである。」(第2頁左欄17?21行)
b)「混合弁24aは、ボデイ50と、開閉弁25a,26aを主要な構成要素としている。
ボデイ50には一対の弁室51,52が設けられており、これら弁51,52には、それぞれ流入路27a,28aおよび流出路29a,30aが接続されている。なお、流出路29a,30aは、第3図に示す共通通路31aに接続されている。
このボデイ50には、上記開閉弁25a,26aが連結されており、・・・」(第3頁左欄12?21行)
c)「作動流体、例えば空気圧を導入ポート55から導入すると、シリンダ56内に形成した圧力室57の空気圧が上昇し、ピストン58をスプリング59に抗して上昇させる。このため、ピストン58に連結されたステム60も一体的に上昇される。このステム60に対してダイアフラム61で区画された前記弁室51には、バルブシート62が収容されており、このバルブシート62は上記ステム60上昇によりスプリング63の力を受けて上昇する。
このため、流出路29aが開かれ、流入路27aが弁室51を経て流出路29aに接続されるようになっている。
また、圧力室57の空気圧を放出すると、バルブシート62が下降して流出路29aを閉じ、流入路27aと流出路29aの連通を遮断する。」(第3頁左欄22?37行)
d)「さらに、2つの開閉弁25a,26aは各軸線が直交するようにしてボデイ40に取付けられているが、これらの相対的姿勢や取付手段は適宜に設定して良い。」(第4頁左欄2?5行)
e)第2図には、ボディ50の縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状とされ、該傾斜面には開閉弁25a,26aが略90°の開き角度、即ちボディ50の底面に対する垂直線に対して略45°の開き角度をもってU字状に固設され、開閉弁25a,26aの弁室51,52間が流路29a,30aにより連通され、ボディ50の両短辺側側面に開口する流路27a、28aが、それぞれ弁室51、52に連通されていることと、ボディ50の左右の傾斜面に底面を弁座とする弁取付用の孔が穿設され、弁座と対向状にバルブシート62が配設され、ダイヤフラム61の外周縁に筒体が係合していることが記載されている。
f)第3図には、共通流路31aが、ボデイ50の片側の長辺側側面に開口して形成されていることが記載されている。

上記b),e),f)の記載から第1引用例の混合弁24aは、縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状のボデイ50の両上部傾斜面に、底面に対する垂直線に対して略45°の開き角度をもってU字状に開閉弁25a,26aを固設すると共に、流出路29a,30aにより両開閉弁25a,26aの弁室51,52間を連通し、更にボデイ50の両短辺側側面に弁室51、52に連通する流入路27a,28aの開口を、また片側の長辺側側面に流出路29a,30aに連通する共通通路31aの開口を夫々形成しているものと認められ、上記c)の記載から、バルブシート62はスプリング59によって上方から押圧されて弁座へ接当し、ピストン58をスプリング59に抗して上昇させることにより上方からの押圧が無くなると、弁座から離れてガス通路を開放するものと認める。
したがって、上記第1引用例には、
「縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状のボデイ50の両上部傾斜面に、底面に対する垂直線に対して略45°の開き角度をもってU字状に開閉弁25a,26aを固設すると共に、流出路29a,30aにより両開閉弁25a,26aの弁室51,52間を連通し、更にボデイ50の両短辺側側面に弁室51、52に連通する流入路27a,28aの開口を、また片側の長辺側側面に流出路29a,30aに連通する共通通路31aの開口を夫々形成して成る超高純度ガス混合装置に於いて、前記両開閉弁25a,26aの弁機構を、ボデイ50に穿設した弁取付孔と、弁取付孔の底面に形成した弁座と、弁座と対向状に配設され、上方から押圧されることにより弁座へ接当して流入路27aと流出路29a間の流路と流入路28aと流出路30a間の流路を閉鎖すると共に、前記上方からの押圧が無くなると弁座から離れて流路を開放するバルブシート62と、ダイヤフラム61の外周縁に係合する筒体と、バルブシート62を押圧するステム60とから形成した半導体製造装置用超高純度ガス混合装置の混合弁。」
の考案が、記載されているものと認める。

同じく、当審における平成13年4月17日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前である昭和61年6月21日に日本国内において頒布された実願昭59-180800号(実開昭61-96538号)のマイクロフィルム(以下、第2引用例という。)には、半導体製造装置用ブロックバルブに関して、以下の点が記載されている。
g)「バルブボデイ11の低面11aは、バルブ固定面に形成されており、斜辺11bにはガス供給通路12に向けてガス導入用エアバルブ13が配設され、また、バルブボデイ11の他方の斜辺11cにはガス供給通路12に向けてガス排出用エアバルブ14が配設されている。」(第5頁16行?第6頁1行)
h)「第3図及び第4図は、本考案の他の実施例を示すもので、バルブ固定面に対しV字状に配置されたエアバルブ13、13´と、該エアバルブに接続されバルブ固定面に対し平行若しくは垂直に配設されたガス導入部31及び排気部33とから構成されている。
このブロックバルブの使用に当たっては、ガスをガス導入部31から通路30に導入し、エアバルブ13´の作用によりディスク27を引けば、ガスは通路32を通って排出部33へ流れる。ディスク27の代りにディスク27´を引けば、ガスは通路32を通って排出部33へ流れる。
また、2種類のガスを排出部33、33´からそれぞれ導入し、エアバルブ13、13´´の作用により、所望のガスを選択して導入部31から排出させることもできる。」(第9頁6行?第10頁1行)
i)第4図には、縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状とされたバルブボデイ11の両側面に、ガス導入部31と排気部33が形成され、中央に排気部33´が形成されていることが記載されている。

上記g)?i)の記載から、第2引用例には、
「縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状とされたバルブボデイ11の斜辺11bにガス導入用エアバルブ13が配設され、また、他方の斜辺11cにガス排出用エアバルブ14が配設された半導体製造装置用ブロックバルブにおいて、バルブボデイ11の両側面に形成した開口の一方を導入部、他方を排出部とし、中央に形成した開口を排出部とした半導体製造装置用ブロックバルブ。」
の考案が記載されているものと認める。

3.本願考案と第1引用例に記載された考案との対比
本願考案と第1引用例に記載された考案とを対比すれば、第1引用例の「ボデイ50」は本願考案の「バルブボディ(1)」に相当し、同じく「流出路29a,30a」は「ガス通路(15)」に相当している。また、第1引用例の「バルブシート62」は、本願考案の「ダイヤフラム(12)」と同様に「弁体」であり、第1引用例の「超高純度ガス混合装置の混合弁」は一種の「流体制御器」であり、さらに、第1引用例の「開閉弁25a,26a」は、本願考案の「導入用制御弁(2)、排出用制御弁(3)」と同じく制御弁の一種である。また、第1引用例の「流入路27a,28aの開口」、「共通通路31aの開口」は、それらが流入用であるか流出用であるかは別として、本願考案のガス導入口、ガス排出口と同様、ガス出入口である。
したがって、本願考案と第1引用例に記載された考案は、
「縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状とされたバルブボディの両上部傾斜面に、U字状に2つの制御弁を固設すると共に、ガス通路により両制御弁の弁室間を連通し、更に前記バルブボディの両短辺側側面に両制御弁の弁室に連通するガス出入口を、また片側の長辺側側面に前記ガス通路に連通するガス出入口を夫々形成して成る流体制御器に於いて、前記両制御弁の弁機構をバルブボディに穿設した弁取付孔と、弁取付孔の底面に形成した弁座と、弁座と対向状に配設され、上方から押圧されることにより弁座へ接当してガス通路を閉鎖すると共に、前記上方からの押圧が無くなると弁座から離れてガス通路を開放する弁体と、当該弁体を押圧するステムとから形成した半導体製造装置用流体制御器。」
である点で一致し、以下の<相違点>で相違している。
<相違点>
1)本願考案の流体制御器は自動であるのに対し、第1引用例に記載された考案の超高純度ガス混合装置の混合弁は自動であるのかどうかが明かでない点。
2)本願考案の制御弁は一方が導入用制御弁、他方が排出用制御弁であり、バルブボディの両短辺側側面に形成したガス出入口は一方がガス導入口、他方がガス排出口で、片側の長辺側側面に形成したガス出入口はガス排出口であって、導入用制御弁はガス導入口に連通し、排出用制御弁はガス排出口に連通しているのに対し、第1引用例に記載された考案の制御弁である開閉弁25a,26aは、一方が導入用で他方が排出用とはなっておらず、さらに、ボデイ50の片側の長辺側側面に形成した開口は、ガス排出口であるものの、両短辺側側面に形成したガス出入口は両方ともガス流入口である点。
3)本願考案の制御弁(2),(3)は、バルブボディ(1)の底面に対する垂直線に対して略40°以下の開き角度をもって固設されているのに対し、第1引用例に記載された考案の開閉弁25a,26aは、ボディ50の底面に対する垂直線に対して略45°の開き角度をもって固設されている点。
4)本願考案の弁機構は、バルブボディ(1)に穿設した弁取付孔(14)と、弁取付孔(14)の底面に形成した弁座(9)と、弁座(9)に近接してこれと対向状に配設されて弁取付孔(14)の底面との間に隙間状の狭い弁室(11)を形成し、上方から押圧されることにより弁座(9)へ接当してガス通路(15)を閉鎖すると共に、前記上方からの押圧が無くなると弾性反力により弁座(9)から離れてガス通路(15)を開放する断面が弧状で中央部が上方へ彎曲膨出した金属薄板製のタイヤフラム(12)と、ダイヤフラム(12)の上方へ挿入され、その外周縁を押圧密封するガイド筒(16)と、ダイヤフラム(12)の上方に配設され、当該ダイヤフラム(12)を押圧するステム(17)と、バルブボディ(1)へ螺着されて前記ガイド筒(16)を押圧する袋ナット(18)とから形成されているのに対し、第1引用例に記載された考案の弁機構は、ボデイ50に穿設した弁取付孔と、弁取付孔の底面に形成した弁座と、弁座と対向状に配設され、上方から押圧されることにより弁座へ接当して流入路27aと流出路29a間の流路と流入路28aと流出路30a間の流路を閉鎖すると共に、前記上方からの押圧が無くなると弁座から離れて流路を開放するバルブシート62と、ダイヤフラム61の外周縁に係合する筒体と、バルブシート62を押圧するステム60とを有しているものの、ダイヤフラムが直接バルブシートとなっていて、弁取付孔の底面との間に隙間状の狭い弁室を形成するものでも、また、その断面が弧状で中央部が上方へ彎曲膨出した金属薄板製で、弾性反力により弁座から離れて流路を開放するものでもなく、しかも、筒体が袋ナットによってダイヤフラムの外周縁を押圧するものであるのかどうかも明かでない点。

4.相違点の検討
(1)相違点1)に関して
流体制御機器を自動で動作させることは、引用例を挙げるまでもなく周知技術であるから、第1引用例に記載された考案の超高純度ガス混合装置の混合弁を自動で動作させることは、上記周知技術に基づいて当業者がきわめて容易に行うことができたものである。
(2)相違点2)に関して
第2引用例には、半導体製造装置用流体制御器の一種である半導体製造装置用ブロックバルブにおいて、縦断面が長方形の左右上部を切り欠いて上部に傾斜面を形成した形状とされたバルブボデイの斜辺に、制御弁の一種であるガス導入用エアバルブとガス排出用エアバルブとを配設し、バルブボディの両側面に形成した開口の一方を導入部、他方を排出部とし、中央に形成した開口を排出部とする考案が記載されている。そして、第2引用例の上記h)に「2種類のガスを排出部33、33´からそれぞれ導入し、・・・導入部31から排出させることもできる」と記載されているように、流体制御器において導入口を排出用に用いたり、排出口を導入用に用いることは、当業者が必要に応じて適宜行っていることであり、さらに、制御弁が導入用となるか排出用となるかは流れの方向によって一義的に定まるもので、導入口に接続する制御弁が導入用制御弁となり、排出口に接続する制御弁が排出用制御弁となることは当然であるから、第1引用例に記載された考案に第2引用例に記載された考案を適用することには何ら困難性が認められない。したがって、第1引用例に記載された考案に第2引用例に記載された考案を適用して、ボデイの両短辺側側面に形成した開口の一方をガス導入口、他方をガス排出口、中央の共通通路の開口をガス排出口とするとともに、ガス導入口に連通する制御弁を導入用制御弁とし、ガス排出口に連通する制御弁を排出用制御弁とすることは、当業者がきわめて容易に行うことができたものである。
(3)相違点3)に関して
複数の弁を用いる流体制御器において、これらの弁の開き角を90度より小さくすることは周知技術(例えば、実願昭55-105871号(実開昭57-28962号)のマイクロフィルム、または実願昭54-94029号(実開昭56-12179号)のマイクロフィルム、実願昭56-115614号(実開昭58-20769号)のマイクロフィルム参照)であり、さらに第1引用例の上記c)の記載によれば、第1引用例に記載された考案の開閉弁の開き角は適宜に設定して良いものとされており、弁の開き角を小さくすれば、弁とガス出入口との間隔が広がることは自明であるから、第1引用例に記載された考案で、開閉弁25a,26aの開き角度を、ボディ50の底面に対する垂直線に対して略40°以下とすることは、上記周知技術から当業者がきわめて容易に行うことができたものである。
(4)相違点4)に関して
弁座に近接してこれと対向状に配設されて弁取付孔の底面との間に隙間状の狭い弁室を形成し、上方から押圧されることにより弁座へ接当して通路を閉鎖すると共に、上方からの押圧が無くなると弾性反力により弁座から離れて通路を開放する、断面が弧状で中央部が上方へ彎曲膨出した金属薄板製のダイヤフラムを弁体として用いるとともに、ダイヤフラムの上方へ挿入され、その外周縁を押圧密封するガイド筒と、バルブボディへ螺着されてガイド筒を押圧する袋ナットを用いることは周知技術(例えば、特開昭64-26073号公報、特開昭63-285373号公報、特開平3-79875号公報参照)である。そして、ダイヤフラムと弁取付孔の底面との間に隙間状の狭い弁室を形成すれば、弁室部のデッドスペースが極小化することは自明であり、しかも、第1引用例の上記a)の記載にも見られるように、第1引用例に記載された考案が、ガスの純度を低下させないためにデッドスペースを極小化することを課題としていることからみて、第1引用例に記載された考案に上記周知技術を適用して弁室部のデッドスペースを極小化することは、当業者がきわめて容易に行うことができたものというべきである。したがって、開閉弁25a,26aの弁体を、弁座に近接してこれと対向状に配設されて弁取付孔の底面との間に隙間状の狭い弁室を形成し、上方から押圧されることにより弁座へ接当してガス通路を閉鎖すると共に、前記上方からの押圧が無くなると弾性反力により弁座から離れてガス通路を開放する断面が弧状で中央部が上方へ彎曲膨出した金属薄板製のタイヤフラムと、ダイヤフラムの上方へ挿入され、その外周縁を押圧密封するガイド筒と、ダイヤフラムの上方に配設され、当該ダイヤフラムを押圧するステムと、バルブボディへ螺着されて前記ガイド筒を押圧する袋ナットとから形成することは、第1引用例に記載された考案に上記周知技術を適用することにより、当業者がきわめて容易に行うことができたものである。

そして、本願考案による作用効果は、第1引用例に記載された考案に、第2引用例に記載された考案と上記各周知技術を適用することにより得られる作用効果を越えるものでもない。
したがって、本願考案は、第1引用例に記載された考案に、第2引用例に記載された考案と上記各周知技術を付加することにより当業者がきわめて容易に考案をすることができたものである。

5.むすび
以上詳述したとおり、本願の請求項1に記載された考案は、上記第1引用例と第2引用例に記載された考案に基づいて、当業者がきわめて容易に考案をすることができたものであるから、実用新案法第3条第2項の規定により実用新案登録を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。
審理終結日 2001-07-30 
結審通知日 2001-08-10 
審決日 2001-08-24 
出願番号 実願平5-12448 
審決分類 U 1 8・ 121- WZ (F16K)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 鳥居 稔渡邉 洋  
特許庁審判長 蓑輪 安夫
特許庁審判官 鈴木 久雄
ぬで島 慎二
考案の名称 半導体製造装置用流体制御器  
代理人 杉本 丈夫  
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